Samsung vient d’annoncer une nouvelle génération de mémoire flash NAND pour nos appareils mobiles. Cette nouvelle mémoire offre une capacité de 2 Go (16 Gigabits), ce qui n’est pas véritablement un exploit, mais a surtout l’avantage d’augmenter la vitesse en écriture, généralement faible avec la mémoire NAND MLC.

Une vitesse doublée pour les Micro SD et les baladeurs MP3

Alors que les cartes Micro SD (et Memory Stick Micro) de 1 et 2 Go sont généralement lentes en écriture (moins de 4 Mo/s), la nouvelle mémoire de Samsung va permettre d’augmenter le taux de transfert : on va pouvoir écrire à 8 Mo/s. Avec cette vitesse, l’utilisation de cartes Micro SD dans un appareil photo sera possible sans les contraintes actuelles. De plus, avec des puces de ce type, on peut imaginer des lecteurs MP3 équipés de 16 Go de mémoire (ils utilisent généralement 8 puces).